DFB-laserdiodi (Distributed Feedback Laser Diode) on yksi lasertyyppi, jota tyypillisesti käytetään optisessa viestinnässä ja optisen kuidun tunnistuksessa.

Sen toimintaperiaate perustuu hajautetun palautteen käsitteeseen ottamalla käyttöön jaksolliset taitekertoimen muutokset puolijohdemateriaalissa, jotta saavutetaan korkealaatuinen lasersäde yhdessä pitkittäistilassa.

Voisimme tarjota räätälöityjä ratkaisuja laserdiodille, tyypillisesti tarjoamme 14 PIN-perhosen laserdiodin.

Tuotteen ominaisuudet

DFB siru;
Aallonpituudet (1270nm, 1290nm…1610nm, 1650nm);
Low Power (>10mW, 20mW, 40mW);
Multi-Quantum Well (MQW) aktiivinen kerros;
Sisäänrakennettu eristin (kaksivaiheinen), TEC, Rth ja PD;
FC/APC-liitin;
Suunniteltu Telcordia-GR468:lle.

Absoluuttiset enimmäisarvosanat

Absoluuttiset maksimiarvot ylittävät jännitykset voivat aiheuttaa pysyviä vaurioita laitteeseen. Nämä ovat vain absoluuttisia stressiluokituksia. Laitteen toiminnallinen toiminta ei tarkoita näissä tai muissa olosuhteissa, jotka ylittävät tuoteselosteen käyttökohdissa mainitut. Altistuminen absoluuttisille maksimiarvoille aiheuttaa pysyviä vaurioita ja/tai heikentää laitteen luotettavuutta.

Parametri	ehdot	Min	Max	Yksikkö
Varastointilämpötila-alue	-	-40	85	tutkinnon
Varastointi ja käyttö suhteellinen kosteus	-	0	95	%
TOSA-kotelon käyttölämpötila	-	-5	75	tutkinnon
Laserin käänteinen jännite	-	-	2	V
Laserin eteenpäinvirtaus	-	-	100	äiti
Pin Juotoslämpötila (*)	30s max	-	300	tutkinnon
TEC-virta	-	-2.5	2.5	A
TEC-jännite	-	-5.4	5.4	V

(*) vain paikallinen lämmitys. Pakkauksen runko ei saa ylittää 85 astetta. 120 asteen lämpötilapoikkeama 60 s on sallittu.

Optiset ja sähköiset ominaisuudet

Parametri	Symboli	Yksikkö	ehdot	Rajoitukset
				Min			Typ	Max.
Keskimmäinen aallonpituus	λc	NM	CW, Yläosa	λc-3			λc	λc+3
Huippuoptinen lähtöteho	Po	Mw	Top, Iop	10			---	---
Spektrin leveys (-20dB)	△λ	NM	CW,Iop=Ith+20mA	---			---	1
Sivutilan vaimennussuhde	SMSR	Db	CW	35			45	---
Optinen eristys	-	Db	CW	50			---
Keskiaallonpituuden vakaus	DlD	Ppm	-	-90			---	90
Aallonpituuden lämpötilan säädettävyys	△λ/△T	nm/aste	-	0.07			0.08	0.12
Laserlämpötilan asetus	Yläosa	tutkinnon	-	20			25	60
Kynnysvirta	Ith	äiti	CW	---			8	20
Rinnetehokkuus	η	mW/mA	CW lähtöteho	0.08			0.2	0.4
Käyttövirta	Iop	äiti	-	20			---	100
Monitorin lähtövirta	Olen	uA	Top, Iop	20			---	1000
Tarkkaile pimeää virtaa	Henkilöllisyystodistus	Na	VrP=5V, ei mustassa laatikossa	---			---	100
Kokonaistehohäviö	P_ETSIVÄ	W	Tcase=-5~75 astetta, CW	---			---	4
Termistori
Resistanssi	Rth	KΩ	Ylin=25 tutkinto	9.5		10		10.5
(Vakio 10kΩ @ 25 asteen termistori)
Rth:n B-vakio	B	K	-	3800		3930		4000
Termistorin virta	I_TC	Ua	-	10		---		200
Lämpösähköinen (TEC)
TEC-virta	I_TEC	A	Tcase=-5~75 astetta ,Yläosa,Iop		-2	---			2
TEC-jännite	V_ETSIVÄ	V	-		-4	---			4

Mekaaninen mitta

product-700-443

product-597-259

Pin Kuvaus

Tappi	Kuvaus	Pin	Kuvaus
1	Termistori	8	Kotelo Maa
2	Termistori	9	Kotelo Maa
3	LD-	10	NC
4	Ilmaisin +	11	LD+
5	Ilmaisin -	12	LD-,RF
6	TEC+	13	LD+
7	ETSIVÄ-	14	NC

Tilaustiedot

Y	T	F	C	D	xx	1	x	x	1	C	L/M/H	XXXX
-1	-2	-3	-4	-5	-6	-7	-8	-9	-10	-11	-12	-13

Ei.	Kuvaus
1	HofeiLink
2	TOSA
3	Perhonen
4	Jäähdytetty TOSA
5	DFB-siru
6	Sisäinen koodi 1
7	PN
8	Sisäinen koodi 2
9	Kuitutyyppi
10	PIN Kuvaustyyppi 1
11	Kotelon lämpötila:-5 astetta ~75 astetta
12	Tehoa
13	Aallonpituus

Aallonpituus (nm)	Toleranssi (nm)	Aallonpituus (nm)	Toleranssi (nm)
1270	±3 nm	1470	±3 nm
1290	±3 nm	1490	±3 nm
1310	±3 nm	1510	±3 nm
1330	±3 nm	1530	±3 nm
1350	±3 nm	1550	±3 nm
1370	±3 nm	1570	±3 nm
1390	±3 nm	1590	±3 nm
1410	±3 nm	1610	±3 nm
1430	±3 nm	1650	±3 nm
1450	±3 nm	muut

Huomautus:DWDM: 1525,66 ~ 1563.86(0,8 nm intervalli)

Suositut Tagit: dfb butterfly laserdiodi, kiina dfb butterfly laserdiodi

DFB Butterfly -laserdiodi